集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.21)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題為何熱氧化時(shí)要控制鈉離子含量？降低鈉離子污染的措施有哪些？
參考答案：因?yàn)檠趸瘜又腥绾懈邼舛鹊拟c，則線(xiàn)性和拋物型氧化速率常數(shù)明顯變大。措施有：加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污；也可采用摻氯...
2.問(wèn)答題集成電路特別是邏輯集成電路技術(shù)的類(lèi)型有哪些？
參考答案：以雙極性硅為基礎(chǔ)的ECL技術(shù)、PMOS技術(shù)、NMOS技術(shù)，雙極性硅或硅鍺異質(zhì)結(jié)晶體管加CMOS的BiCMOS技術(shù)和GaA...
3.問(wèn)答題建立器件模型的目的是什么？
參考答案：
進(jìn)行電路模擬
4.問(wèn)答題集成電路的加工過(guò)程的基本操作是什么？
參考答案：
形成某種材料的薄膜；在各種材料的薄膜上形成需要的圖形；通過(guò)摻雜改變材料的電阻率或雜質(zhì)類(lèi)型。
5.問(wèn)答題為什么說(shuō)InP適合做發(fā)光器件和OEIC？
參考答案：
InP中電子與空穴的復(fù)合是直接進(jìn)行的
參考答案：采用負(fù)載電阻會(huì)占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無(wú)源負(fù)載反相器有更好的...
參考答案：
發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運(yùn)與復(fù)合和集電區(qū)的收集
8.問(wèn)答題光刻的曝光方式有幾種？各有何特點(diǎn)？
9.問(wèn)答題一個(gè)完整的全定制設(shè)計(jì)環(huán)境包含哪些部分？
參考答案：
設(shè)計(jì)資料庫(kù)、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設(shè)計(jì)工具、版圖驗(yàn)證工具
10.問(wèn)答題常用的集成電容有哪些？
參考答案：
多晶硅-擴(kuò)散區(qū)電容、多晶硅-多晶硅電容、MOS電容、夾心電容
