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A.SSD硬盤(pán)主要的存儲(chǔ)器實(shí)際上是NORFlash
B.NANDFlash的寫(xiě)入速度比NORFlash快很多
C.NANDFlash需要驅(qū)動(dòng)程序才能使用
D.可以使用多個(gè)NORFlash實(shí)現(xiàn)固態(tài)硬盤(pán)方案

A.同一DIMM的CLK之間等長(zhǎng)保持在5mil內(nèi)
B.CMD信號(hào)之間間距：內(nèi)層12mil，外層13.5mil
C.CMD信號(hào)不DQ信號(hào)最小間距：內(nèi)層32mil，外層27mil
D.同組DQ/ECC/DQS最小間距：內(nèi)層17mil，外層19mil