填空題

由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（）。

答案： 大；襯底；嚴(yán)重
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