首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
填空題
由于柵氧化層中通常帶()電荷,所以()型區(qū)比()型區(qū)更容易發(fā)生反型。
答案:
正;P;N
點擊查看答案
在線練習
手機看題
你可能感興趣的試題
填空題
P溝道MOSFET的襯底是()型半導體,源區(qū)和漏區(qū)是()型半導體,溝道中的載流子是()。
答案:
N;P;空穴
點擊查看答案
手機看題
填空題
N溝道MOSFET的襯底是()型半導體,源區(qū)和漏區(qū)是()型半導體,溝道中的載流子是()。
答案:
P;N;電子
點擊查看答案
手機看題
微信掃碼免費搜題