判斷題

制備多晶硅之前先做一層薄氧，這層薄氧是柵氧。

答案： 錯(cuò)誤
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采用雙阱工藝，可以實(shí)現(xiàn)PMOS和NMOS的獨(dú)立控制。
答案： 正確
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