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制作場氧區(qū)的時候,氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時的掩蔽層。
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采用雙阱工藝,可以實現(xiàn)PMOS和NMOS的獨立控制。
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利用重摻雜的多晶硅作為MOS管的柵,可以使得MOS電路特性得到改善,閾值電壓下降。
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