切片決定了硅片的四個重要參數:晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。
包括:切斷、滾磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、檢驗。
小尺寸MOS器件中的二級效應包括:短溝道效應;窄溝道效應;飽和區(qū)溝道長度調制效應;遷移率退化和速度飽和;熱電子效應。