通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度,從而改變閾值電壓的過程。
當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時(shí),氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場(chǎng)吸引作用和庫(kù)侖排斥作用。
當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí),MOSFET中的導(dǎo)電過程。