當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時,氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場吸引作用和庫侖排斥作用。
當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時,MOSFET中的導(dǎo)電過程。