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集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.03.06)

問答題
為什么采用AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)制造的雙極型晶體管（HBT）具有好的性能？
答案：
異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制
問答題
對NMOS晶體管，注入何種雜質(zhì)使閾值電壓增加或降低？
答案：
P型雜質(zhì)增加、N型雜質(zhì)降低。
問答題
施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的含義是什么？
答案：在晶體中電離時(shí)能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)為施主雜質(zhì)；
在晶體中電離時(shí)能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電...
問答題
集成電路設(shè)計(jì)需要哪些知識范圍？
答案：
系統(tǒng)知識，電路知識，工具知識，工藝知識
問答題
形成微帶線的基本條件是什么？
答案：
介質(zhì)襯底的背面應(yīng)該完全被低歐姆金屬覆蓋并接地，使行波的電場主要集中在微帶線下面的介質(zhì)中。
問答題
NMOS晶體管可分為哪種類型？
答案：
增強(qiáng)型NMOS和耗盡型NMOS。
問答題
在CMOS電路里，MOS管一般采用何種類型？
答案：
增強(qiáng)型
問答題
濺射法的含義是什么？
答案：
利用等離子體轟擊被濺射物質(zhì)使其分子或原子逸出，淀積到基片表面形成薄膜
問答題
制作硅柵具體步驟是什么？
答案：
生長緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。
問答題
哪種BiCMOS工藝用的較多？為什么？
答案：
雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。

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