問(wèn)答題
利用GaAs MESFET器件設(shè)計(jì)一單刀單擲開關(guān)。(共25分) (1) 要求:當(dāng)開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),回波損耗接近無(wú)窮大,即駐波性能良好,試給出一種設(shè)計(jì)方案。(13分) (2) 若要進(jìn)一步提高該開關(guān)的隔離度,試給出兩種可行方案。(12分)
答案:
(1) 設(shè)計(jì)方案:為了使***SFET器件在斷開狀態(tài)時(shí)回波損耗接近無(wú)窮大,即駐波性能良好,可以采用以下設(shè)計(jì)方案:- 使用...