<center id="ilexz"><acronym id="ilexz"><label id="ilexz"></label></acronym></center>

<fieldset id="ilexz"></fieldset>

<fieldset id="ilexz"><optgroup id="ilexz"><big id="ilexz"></big></optgroup></fieldset>

問答題

【簡答題】詳述影響硅外延生長速率的因素。

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】
要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶，所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金，合金中P型Ge濃度為C_m=1017cm^-3，原料為純Ge，問需要多少克Ga-Ge合金？

答案：

【計算題】
每拉出g=1/2處，ρ=1Ω·cm的硅單晶錠100g，所用的硅是區(qū)熔硅（即純硅），問要摻雜質(zhì)硼多少克？

答案：

<samp id="rrzba"><acronym id="rrzba"></acronym></samp>