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問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述柵氧化層生長(zhǎng)的典型干法氧化工藝流程
答案：
1、850度閑置狀態(tài)通入吹除凈化氮?dú)狻?br />2、通入工藝氮?dú)獬錆M爐管。
3、將石英或碳化硅晶圓載舟緩慢推...
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問答題
【簡(jiǎn)答題】列舉IC芯片制造過程中熱氧化SiO2的用途？
答案：
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2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場(chǎng)區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層
問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述晶圓的制造步驟
答案：
1、整形處理：去掉兩端，檢查電阻確定單晶硅達(dá)到合適的摻雜均勻度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蝕
5、化學(xué)機(jī)械拋光
