設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量Ev(k)分別為: 試求: 1)禁帶寬度; 2)導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量; 3)價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量; 4)價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。
溫度為300K時(shí)本征硅的電子濃度1.5×1010cm-3,電子和空穴遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S。 1)計(jì)算硅的本征電導(dǎo)率。 2)硅的原子密度為5.00×1022/cm3。當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的As后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計(jì)算其電導(dǎo)率。比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍? 3)若該樣品所加的電場(chǎng)強(qiáng)度為1.34V/cm,試求流過(guò)該樣品的電流密度是多少?