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問答題
【案例分析題】
以下兩圖屬于同類型存儲器單元。試回答以下問題:
它們兩個都是哪一種類型存儲器單元?分別是什么類型的?
答案:
同屬于現(xiàn)場可編程ROM(PROM),(a)為熔絲型PROM存儲單元;(b)為PN結(jié)擊穿PROM存儲單元。
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【簡答題】給出一管單元DRAM的原理圖,并給出版圖。
答案:
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【計算題】對1T DRAM,假設(shè)位線電容為1pF,位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs(50fF)上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。
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