填空題

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

答案： 界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度
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填空題

氧化層厚度的測量方法主要有：（）。
答案： 比色法、橢圓偏振儀測試法、臺(tái)階測試、相干光波長差測量、擴(kuò)展電阻測試、掃描電鏡測量
填空題

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。
答案： 硅中的雜質(zhì)濃度與SiO2中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于
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