<nobr id="mif4v"><cite id="mif4v"></cite></nobr>

<samp id="mif4v"><label id="mif4v"></label></samp>

問答題

【簡答題】比較同等摻雜濃度多晶硅和單晶硅電阻率的大?。拷忉尣煌脑?。

答案：相同摻雜雜質即使?jié)舛认嗤嗑Ч璧碾娮杪时葐尉Ч璧碾娮杪矢摺＿@是因為多晶硅石油晶粒和晶界組成，在晶粒內部的摻雜原子和在單晶...

你可能感興趣的試題

【簡答題】SiO₂作為保護膜時為什么需要采用低溫工藝？目前低溫SiO₂工藝有哪些方法？它們降低制備溫度的原理是什么？

答案：

【簡答題】薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率非常慢，因此常作為硅片定域KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率快。怎樣才能用已淀積的PECVD氮化硅薄膜作為KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜？

答案： PECVD氮化硅薄膜含H、質地疏松，抗KOH水溶液中的腐蝕性能差?？赏ㄟ^高溫退火，使H逸出，薄膜致密化，從而提高抗腐蝕性...