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問答題
【計算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度Eg≈1.12eV，價帶頂空穴和導帶底電子的有效質量之比mp/mn≈0.55，導帶的有效狀態(tài)密度NC≈2.8*1019/cm3，kT≈0.026eV。試計算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費米能級Ei；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為1018/cm3的n型單晶硅的費米能級EF。
答案：
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試求：
問答題
【計算題】
某半導體價帶頂附近能量色散關系可表示為：E（k）=Emax-10-30k2（J），現將其中一波矢為
的電子移走，試求此電子留下的空穴的有效質量m*p，
及速度vp（k）.
答案：
價帶頂附近等能面為球面， 因此有效質量各向同性，均為：
