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問答題

【簡答題】異質外延對襯底和外延層有什么要求？

答案：對于B/A型的異質外延，在襯底A上能否外延生長B，外延層B晶格能否完好，受襯底A與外延層B的兼容性影響。襯底與外延層的兼...

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【簡答題】硅氣相外延工藝采用的襯底不是準確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個小角度，為什么？

答案：從硅氣相外延工藝原理可知，硅外延生長的表面外延過程是外延劑在襯底表面被吸附后分解出Si原子，他遷移到達結點位置停留，之后...

【簡答題】比較硅單晶錠CZ、MCZ和FZ三種生長方法的優(yōu)缺點？

答案： CZ法工藝成熟可拉制大直徑硅錠，但受坩鍋熔融帶來的O等雜質濃度高，存在一定雜質分布，因此，相對于MCZ和FZ法，生長的硅...