制造硅半導(dǎo)體器體中,常使硼擴散到硅單晶中,若在1600K溫度下,保持硼在硅單晶表面的濃度恒定(恒定源半無限擴散),要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半,問需要多長時間(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;當)?
已知氫和鎳在面心立方鐵中的擴散數(shù)據(jù)為cm2/s和cm2/s試計算1000℃的擴散系數(shù),并對其差別進行解釋
原因:與鎳原子相比氫原子小得多,更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴散
欲使Ca2+在CaO中的擴散直至CaO的熔點(2600℃)時都是非本質(zhì)擴散,要求三價離子有什么樣的濃度?試對你在計算中所做的各種特性值的估計作充分說明。已知CaO肖特基缺陷形成能為6eV