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問答題

【計算題】在一N-Ge樣品中，過剩載流子濃度為10¹⁴cm^-3，空穴壽命100μs，計算該樣品中空穴的復(fù)合率。

答案：

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473K時硅的求本征硅的電阻率ρ_i。

答案：

【計算題】摻硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅樣品，計算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴遷移率μ_p=360cm²/v·s，求電阻率。

答案：

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