問答題

【計算題】

已知半導體材料GaAs（鎵砷）的禁帶寬度Eg=1.43ev，InGaAsP（銦鎵砷磷）的Eg=0.96ev，分別求由這兩種材料組成的半導體激光器的發(fā)射波長。（普朗克常數(shù)h=6.626×10-34J·S，1ev＝1.6×10-19J）

答案：

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