多項選擇題

關(guān)于DIMMDDR4的等長設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

A.同組DQ/ECC和對應(yīng)DQS等長保持在50mil內(nèi)
B.同組DQ/ECC等長保持在10mil內(nèi)
C.CLK差分線對內(nèi)等長保持在2mil內(nèi)
D.組間DQ/ECC最小間距：內(nèi)層32mil，外層27mil

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多項選擇題

關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。

A.Add/Com/Ctrl走菊花鏈
B.控制芯片端BGA的表層走線，長度要求控制在250mil以內(nèi)
C.Add/Com/Ctrl走線長度到第一個顆粒≤6000mil，到最后一個顆粒≤12000mil
D.Add/Com/Ctrl最后一個顆粒到端接電阻的長度≤800mil

多項選擇題

關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。

A.所有的數(shù)據(jù)線優(yōu)先考慮布在以GND平面為參考平面的布線層
B.同一組數(shù)據(jù)線要走在一起，并要走在相同層面，組內(nèi)等長以DQS為基準，并等長控制在20mil以內(nèi)
C.數(shù)據(jù)線在滿足和DQS的時序要求外走線總長度長≤6500mil
D.DQS要緊耦合設(shè)計，差分對對內(nèi)長度誤差≤10mil

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關(guān)于DIMMDDR4的等長設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

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關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DIMMDDR4的等長設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說法正確的是（）。