單項(xiàng)選擇題

Si中摻金的工藝主要用于制造（）器件。

A.高可靠性
B.高頻
C.大功率
D.高電壓

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單項(xiàng)選擇題

若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。

A.處于絕對零度
B.不含任何雜質(zhì)
C.不含任何缺陷
D.不含施主

單項(xiàng)選擇題

II-VI族化合物中的M空位V_m是（）。

A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)

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