問答題

【簡答題】試說明氧化層在硅工藝中的四種主要用途及主要原因，并舉例說明各種用途的主要目的。

答案：摻雜阻擋層；器件保護層；表面鈍化層；電學隔離層；器件介質層。
選擇擴散的掩蔽層：選擇擴散從而實現在特定的區(qū)域里...

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【簡答題】列出氧化硅的五種主要物理參數，并說明實際中如何測試氧化層厚度。

答案：

密度，折射率，電阻率，介電強度，（相對）介電常數。
實際中可用折射率，介質強度和介電常數來測量。

【簡答題】試說明熱氧化反應為什么發(fā)生在Si—SiO₂界面上，以及這種反應機制有何好處？

答案：在無定形SiO₂的網絡結構中，每個Si原子與四個氧原子形成共價鍵，而每個氧原子最多與兩個Si原子形...

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