問答題

【簡答題】以P阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝存在哪些缺點(diǎn)？

答案： 由于NPN晶體管的基區(qū)在P阱中，所以基區(qū)的厚度太大，使得電流增益變小
集成電路的串聯(lián)電阻很大，影響器件性能
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問答題

【簡答題】哪種BiCMOS工藝用的較多？為什么？
答案：

雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。
問答題

【簡答題】BiCMOS有幾種類型？每種類型有什么特點(diǎn)？
答案： 以CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS；
工藝和以雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS；
工藝以CMOS工藝為基...
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