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問答題
【簡答題】為什么硅片熱氧化結(jié)束時(shí)通常還要進(jìn)行氫氣或氫－氮混合氣體退火？
答案：
距Si/SiO2界面2nm以內(nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū)；對(duì)于器件的正常工作，界面處的電荷堆積是不受歡...
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問答題
【簡答題】采用提拉法（CZ法，切克勞斯基法）和區(qū)熔法制備的硅片，哪種方法質(zhì)量更高，為什么？那么目前8英寸以上的硅片，經(jīng)常選擇哪種方式制備，為什么？
答案：
區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高，因?yàn)楹趿康汀?br /> 8英吋以上的硅片，選擇CZ法制備，晶圓直徑大。
問答題
【簡答題】化學(xué)機(jī)械平坦化的工作機(jī)理是什么？與傳統(tǒng)平坦化方法相比，它有哪些優(yōu)點(diǎn)？
答案：
化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工作機(jī)理：表面材料與磨料發(fā)生反應(yīng)，生成容易去除的表面層；同時(shí)表面層通過磨料中的研磨劑和研磨壓力與...
