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MIS結構發(fā)生多子積累時,表面的導電類型與體材料的類型()。
A.相同
B.不同
C.無關
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單項選擇題
在熱平衡狀態(tài)時,P型半導體中的電子濃度和空穴濃度的乘積為常數,它和()有關
A.雜質濃度和溫度
B.溫度和禁帶寬度
C.雜質濃度和禁帶寬度
D.雜質類型和溫度
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單項選擇題
對于一定的N型半導體材料,在溫度一定時,減小摻雜濃度,費米能級會()。
A.上移
B.下移
C.不變
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