單項(xiàng)選擇題

為減少固定電荷密度和快界面態(tài)的影響，在制備MOS器件時(shí)通常選擇硅單晶的方向?yàn)椋ǎ?/h4>

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

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