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以下4種半導(dǎo)體中最適合于制作高溫器件的是()
A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN
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當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時,其小注入下的少子壽命正比于()。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
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有效復(fù)合中心的能級必靠近()
A.禁帶中部
B.導(dǎo)帶
C.價帶
D.費米能級
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