鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別,可以算出鍺的少子濃度高。
提高遷移率和和提高本征載流子濃度
總散射概率等于多種散射概率之和。