決定因素:摻雜濃度,摻雜能級,導(dǎo)帶的電子有效態(tài)密度等。 費米能級比較:強n>弱n>本征>弱p>強p
硅的禁帶寬度比鍺大,且在相同溫度下,鍺的本征激發(fā)強于硅,很容易就達到較高的本征載流子濃度,使器件失去性能。