如圖所示，電路中已知T1、T2均為硅管，UBE1=UBE2=0.7V，RC1=RC2=3.8KΩ，RB1=RB2=1KΩ，RE=5.1KΩ，VCC=1.5V，VEE=-12V，β1=β2=50 試計(jì)算： （1）靜態(tài)各種點(diǎn)的值； （2）差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)及共模抑制比； （3）差模輸入電阻、共模輸入電阻及輸出電阻。
由N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路如下圖所示。設(shè)UGSQ=-0.2V，Gm=1.2ms。試求： （1）電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)IDQ和UGSQ之值 （2）畫(huà)出微變等效電路圖 （3）電壓放大倍數(shù)Áu （4）輸入電阻Ri和輸出電阻RO
如圖所示，放大電路中，已知VCC=15V，Rs=0.5KΩ，Rb1=40KΩ，Rb2=20KΩ，Rc=2KΩ，RE1=0.2KΩ，RE2=1.8KΩ，RL=2KΩ，β=50，UBE=0.7V。試求： （1）電路的靜態(tài)工作點(diǎn) （2）畫(huà)出微變等效電路 （3）輸入電阻Ri和輸出電壓Ro （4）電壓放大倍數(shù)Au和源電壓放大倍數(shù)Aus
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