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名詞解釋

輕摻雜漏（LDD）

答案：

為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。

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答案：

反型電荷密度小于摻雜濃度時(shí)的情形。