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【計(jì)算題】設(shè)空穴濃度是線性分布,在3us內(nèi)濃度差為10
15
cm
-3
,u
p
=400cm
2
/(V∙s)。試計(jì)算空穴擴(kuò)散電流密度。
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【計(jì)算題】室溫下,p型半導(dǎo)體中的電子壽命為τ=350us,電子的遷移率u
n
=3600cm
-2
/(V∙s)。試求電子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。
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【計(jì)算題】在摻雜濃度N
D
=10
16
cm
-3
,少數(shù)載流子壽命為10us的n型硅中,如果由于外界作用,少數(shù)載流子全部被清除,那么在這種情況下,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率是多大?(E
t
=E
i
)。
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