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問(wèn)答題
【計(jì)算題】輕摻雜的硅樣品在室外溫下，外加電壓使電子的漂移速度是它的熱運(yùn)動(dòng)速度 的十分之一，一個(gè)電子由于漂移而通過(guò)1μm區(qū)域中的平均碰撞次數(shù)和此時(shí)加在這個(gè)區(qū)域的電壓為多少？
答案：
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，且電子濃度
，空穴濃度
時(shí)，材料的電導(dǎo)率σ最小，并求出σmin的表達(dá)式。
）
