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問答題
【簡答題】簡述離子注入工藝中退火的主要作用？
答案：
由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團，增加了散射中心及陷阱能級，使遷移率和壽命等半導體參數(shù)下降。此外，大部分的離子在被注入...
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問答題
【簡答題】擴散摻雜與離子注入摻雜所形成的雜質濃度分布各自的特點是什么？與擴散摻雜相比離子注入摻雜的優(yōu)勢與缺點各是什么？
答案：
擴散雜質所形成的濃度分布：雜質摻雜主要是由高溫的擴散方式來完成，雜質原子通過氣相源或摻雜過的氧化物擴散或淀積到硅晶片的表...
