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20世紀90年代初期使用的第一臺CMP設備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。
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CMP帶來的一個顯著的質量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現的微擦痕導致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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在CMP設備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學干涉終點檢測。
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