單項(xiàng)選擇題

硅微體刻蝕加工和硅微面刻蝕加工的區(qū)別在于（）。

a.體刻蝕加工對(duì)基體材料進(jìn)行加工，而面刻蝕加工不對(duì)襯底材料進(jìn)行加工；
b.體刻蝕加工不對(duì)基體材料進(jìn)行加工，而面刻蝕加工對(duì)襯底材料進(jìn)行加工；
c.體刻蝕加工可獲得高縱橫比的結(jié)構(gòu)，而面刻蝕加工只能獲得較低縱橫比的結(jié)構(gòu)；

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單項(xiàng)選擇題

光刻加工采用的曝光技術(shù)中具有最高分辨率的是（）。

A.電子束曝光技術(shù)
B.離子束曝光技術(shù)
C.X射線曝光技術(shù)

單項(xiàng)選擇題

光刻加工的工藝過程為：（）

A.①氧化②沉積③曝光④顯影⑤還原⑦清洗
B.①氧化②涂膠③曝光④顯影⑤去膠⑦擴(kuò)散
C.①氧化②涂膠③曝光④顯影⑤去膠⑦還原

硅微體刻蝕加工和硅微面刻蝕加工的區(qū)別在于（）。

你可能感興趣的試題

光刻加工采用的曝光技術(shù)中具有最高分辨率的是（）。

光刻加工的工藝過程為：（）

硅微體刻蝕加工和硅微面刻蝕加工的區(qū)別在于（）。

光刻加工采用的曝光技術(shù)中具有最高分辨率的是（）。