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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】證明:對(duì)于能帶中的電子,K狀態(tài)和-K狀態(tài)的電子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解釋為什么無(wú)外場(chǎng)時(shí),晶體總電流等于零。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】室溫下,本征鍺的電阻率為47Ω·cm,試求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì),使每10
6
個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子,計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度。設(shè)雜質(zhì)全部電離。鍺原子的濃度為4.4×10
22
cm
-3
,試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)μ
n
=3600cm
2
/V·s, 且認(rèn)為不隨摻雜而變化。n
i
=2.5×10
13
cm
3
。
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問(wèn)答題
【案例分析題】現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料,已知室溫下(300K)它們的空穴濃度分別為:p
01
=2.25×10
16
cm
-3
,p
02
=1.5×10
10
cm
-3
,p
03
=2.25×10
4
cm
-3
分別計(jì)算這三塊材料的費(fèi)米能級(jí)的位置。
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