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問答題

【案例分析題】室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導體接觸，Al的功函數為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。計算硅Si的功函數。

答案：

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【簡答題】
室溫下，n型硅樣品中，摻雜濃度N_D=10¹⁶cm^-3。光均勻照射Si樣品上，電子-空穴對的產生率為1.25×10²⁰cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。計算無光照和有光照的電導率。其中，已知q=1.6×10^-19C

答案：

【案例分析題】對于室溫下硅材料，假設載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質半導體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

答案：

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