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問(wèn)答題

【計(jì)算題】
計(jì)算含有施主雜質(zhì)濃度為N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K時(shí)的電子和空穴濃度以及費(fèi)米能級(jí)的位置。

答案：

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【計(jì)算題】
計(jì)算能量在E=E_c到E=E_c+之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對(duì)介電常數(shù)ε_r=11.1，空穴的有效質(zhì)量m_p^*=0.86m₀，m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①受主雜質(zhì)電離能；
②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

答案：

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