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半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.03.15)

來源：考試資料網

1.問答題典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡述各步驟的作用。

參考答案：涂膠→前烘→對準與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅膜→顯影檢查

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2.問答題簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設硅中的雜質分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

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3.問答題畫出側墻轉移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

參考答案：

4.問答題 以P₂O₂為例說明SiO₂的掩蔽過程。

參考答案：以P₂O₂雜質源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當P

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5.問答題在銅互連中，為什么要用銅擴散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

參考答案：1）銅在SiO₂中極易擴散，造成對硅器件的沾污：增加SiO₂的漏電流；增加結...

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